mirror of
https://github.com/noplacenoaddress/RNMnetwork.git
synced 2024-12-12 17:14:31 -05:00
47 lines
4.5 KiB
Markdown
47 lines
4.5 KiB
Markdown
# Componentes activos: semiconductores y válvulas
|
|
|
|
#### 3.1 Esquemas y símbolos en electrónica.
|
|
|
|
![](https://github.com/redeltaglio/RNMnetwork/raw/master/Images/simbolos.jpg)
|
|
|
|
Un esquema de un circuito electrónico está compuesto por un grupo de símbolos unidos por líneas que nos está indicando los componentes que lo integran y su funcionamiento.
|
|
|
|
Algunos símbolos van acompañados de una nomenclatura que nos indica las características del elemento representado como por ejemplo junto a un condensador pueden aparecer unos caracteres que indican su valor.
|
|
|
|
#### 3.2 Semiconductores
|
|
|
|
![](https://i2.wp.com/codigoespagueti.com/wp-content/uploads/2021/03/silicio-en-los-chips-1.jpg?resize=1280%2C720&quality=80&ssl=1)
|
|
|
|
Los [semiconductores](https://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor) son substancias que tienen una conductividad intermedia entre los altos valores de los metales y los bajos de los aislantes.
|
|
|
|
Los cristales de [germanio](https://es.wikipedia.org/wiki/Germanio) o [silicio](https://es.wikipedia.org/wiki/Silicio) puros pueden considerarse como buenas aisladores porque carecen de electrones libres pero añadiéndoles impurezas pueden variar sus propiedades iniciales. Su mecanismo de conducción es distinto de los conductores metálicos; la impurezas la forman elementos con distintos número de electrones que ellos: si tienen más electrones que los semiconductores se les llama donantes y si tienen menos aceptantes (tienen «huecos» que se comportan como si tuvieran una carga eléctrica positiva y de igual magnitud que la de un electrón). Los electrones y los «huecos» se mueven en un campo eléctrico con una velocidad que es proporcional a la intensidad de dicho campo, los «huecos» se mueven en dirección opuesta a los electrones y con una velocidad que es la mitad de estos.
|
|
|
|
![](https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/8/8b/N-Type_Semiconductor_Bands.svg)
|
|
|
|
Si por ejemplo combinamos germanio con un donante queda polarizado negativamente: así tenemos un semiconductor tipo `N` (negativo). Si la impureza es un aceptante el germanio queda polarizado positivamente convirtiéndose en un semiconductor tipo `P`.
|
|
|
|
#### 3.3 Diodos.
|
|
|
|
![](https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/d/d5/Diode-closeup.jpg)
|
|
|
|
Un [diodo](https://es.wikipedia.org/wiki/Diodo) es un dispositivo que bajo determinadas circunstancias permite le paso de la corriente eléctrica en una única dirección.
|
|
|
|
Son uniones de dos materiales semiconductores `P` y `N` por lo que reciben la denominación de <u>unión pn</u>.
|
|
|
|
Ninguno de los dos cristales por separado tiene carga eléctrica, ya que en cada cristal, el número de electrones y cargas positivas es el mismo, de lo que podemos decir que los dos cristales son neutros. Al unir ambos hay una difusión de electrones de `N` a `P` y aparece una barrera de separación neutra. Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unión, zona que recibe diferentes denominaciones como zona de carga espacial, de agotamiento, de deplexión.
|
|
|
|
A medida que progresa el proceso de difusión, la zona de carga espacial va incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unión. La acumulación de iones positivos en la zona `N` y de iones negativos en `P` crea un campo eléctrico que actuará sobre los electrones libres de `N` con una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondrá a la corriente de electrones y terminará deteniéndolos.
|
|
|
|
Este campo eléctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensión entre las zonas `P` y `N`. Esta diferencia de potencia es de `0,7 V` en el caso del silicio y de `0,3 V` si los cristales son de germanio.
|
|
|
|
La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del orden de `0,5 micras` pero cuando uno de los cristales está mucho más dopado que el otro la zona de carga espacial es mucho mayor.
|
|
|
|
Al dispositivo así obtenido se la denomina diodo, que ne un caso como el descrito, tal que no se encuentra sometido a un diferencia de potencial externa, se dice que no está polarizado. Al extremo `P`, se le denomina [ánodo](https://es.wikipedia.org/wiki/%C3%81nodo), representándose por la letra `A`, mientras que la zona `N`, el [cátodo](https://es.wikipedia.org/wiki/C%C3%A1todo), se representa por la letra `C` o `K`.
|
|
|
|
Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensión externa, se dice que el diodo está polarizado, pudiendo ser la polarización «directa» o «inversa».
|
|
|
|
|
|
|
|
## Bibliografía
|
|
|
|
- Libro de examen de radioaficionado, Luis Alarcón Palencia `EA4DXP` |