mirror of
https://github.com/noplacenoaddress/RNMnetwork.git
synced 2024-10-01 01:05:51 -04:00
commit
b58ea5b2e2
BIN
Images/Curvas_caracteristicas.png
Normal file
BIN
Images/Curvas_caracteristicas.png
Normal file
Binary file not shown.
After Width: | Height: | Size: 86 KiB |
BIN
es.telecomlobby.com/radio_aficion/Documentos/tema-4-teoria.pdf
Normal file
BIN
es.telecomlobby.com/radio_aficion/Documentos/tema-4-teoria.pdf
Normal file
Binary file not shown.
BIN
es.telecomlobby.com/radio_aficion/Documentos/tema5.pdf
Normal file
BIN
es.telecomlobby.com/radio_aficion/Documentos/tema5.pdf
Normal file
Binary file not shown.
@ -145,6 +145,12 @@ El funcionamiento del [transistor de efecto de campo](https://es.wikipedia.org/w
|
||||
|
||||
Tienen tres terminales, denominadas puerta, drenador y fuente. La puerta es el terminal equivalente a la base del bipolar. El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlador por tensión donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.
|
||||
|
||||
![](https://github.com/redeltaglio/RNMnetwork/raw/master/es.telecomlobby.com/radio_aficion/PCB/transistor_FET.svg)
|
||||
|
||||
Así como los bipolares se dividen en NPN y PNP los de efecto de campo o FET son también de dos tipos: canal N y canal P, dependiendo de si la aplicación de una tensión positiva en la puerta pone al transistor en esta de conducción o no conducción, respectivamente. Los transistores de efecto de campo MOS se usan ampliamente en electrónica digital, y son el componente fundamental de los circuitos integrados o digitales. Los FET son unipolares y en ellos la conducción no la determina una corriente de entrada sino un campo eléctrico que opera sobre el cristal, permitiendo o impidiendo el paso de la corriente. No precisan base ni corriente de base.
|
||||
|
||||
#### 3.5.2 Circuitos amplificadores con transistores bipolares.
|
||||
|
||||
|
||||
|
||||
## Bibliografía
|
||||
|
Loading…
Reference in New Issue
Block a user